（原标题：俄罗斯光刻机，新道路图）

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来源：内容编译自cnews，谢谢。

俄罗斯还是制定了一项有假想，制造用于制造当代芯片的开发，该开发将比刻下商场把持者ASML的开发更低廉、更高效。该阵势的作家以为，我国不宜走荷兰公司的谈路，因为老本太高。因此，俄罗斯将建造的安装波长不是13.5纳米，而是11.2纳米。

俄罗斯还是制定了制造光刻机的“道路图”，该光刻机将比荷兰 ASML 的开发更低廉、更容易制造。但与此同期，俄罗斯的门径也相通有用。这是由俄罗斯科学院微结构物理征询所（IPM RAS）职工Nikolai Chkhalo编写的“高性能X射线光刻发展新见解”得出的论断。CNews 的。

文献指出，“道路图”的执即将使该国梗概在合理的时辰内创建我方的当代纳米光刻安装。

IPM RAS建议将光刻机的使命波长从13.5纳米减少到11.2纳米。展望这种步伐将镌汰真空元件和系统以及通盘光刻机的制变老本以及操作老本。

为了打造不失容于ASML的国产光刻机，IPM RAS提供了多项鼎新。举例，波长为11.2nm。这将导致安装的分裂率陶冶 20%（分裂率界说为光刻胶层中再现的最小元素）。

“这将减少举座尺寸，光显简化镜子的坐褥，并光显镌汰镜片的坐褥老本，”Chkhalo 指出。— 在俄罗斯的安装中，有假想用氙气源取代锡激光等离子体源。这应该不错将 源材料扩散产生的产物对光学元件的浑浊减少几个数目级。不菲的收罗器和薄膜（用于保护掩模的开脱吊挂的多层薄膜）以及掩模的使用寿命将光显增多。”

波长过渡到 11.2 nm 可能开启使用硅基抗蚀剂，特殊是有机硅抗蚀剂的可能性。从见解上不错看出，有机光刻胶在 EUV 光刻中的高图案改革参数下具有最大的聪惠度。Chkhalo 强调说：“咱们不错预期，增多光刻胶中硅的比例将导致光刻胶在 11.2 nm 波长下的遵循光显陶冶，与 13.5 nm 波长比拟。”

该表将 ASML 制造的 TWINSCAN NXE:3600D 光刻机的主要参数与IPM RAS正在开发的光刻机的预期参数进行了比较。

从表中不错看出，平均激光功率为 3.6 kW，波长 11.2 nm 下的预期性能将比 ASML 光刻机低约 2.7 倍。

“关于居品商场小于前五名公司的工场来说，这个值还是弥散了，研究到芯片上的通盘层中，X射线光刻仅用于几个要津层的形成，”该文献指出。“因此，这一见解的得手执即将终了在不阵一火分裂率的情况下陶冶用户 X 射线光刻的可及性的假想。”

Chkhalo 指出，与民众 EUV 光刻机发展的警戒相类比， 所冷落的见解的执行触及三个阶段。

第一阶段包括科学征询使命（R&D）以及实验假想（R&D）的成分。有假想创建要津的X射线光刻期间，找出所关联键期间中的主要问题，并冷落修订期间搞定决议的建议。

此外，还有假想建立配合关系比肩出搞定第二阶段问题所需的开发清单。创建光刻实验样本，以测试真确期间经过中的通盘元素，开发抗蚀剂并测试使用 X 射线光刻形成纳米结构的期间。

第二阶段的假想之一是创建带有六镜投影镜头、多千瓦激光系统和200/300 毫米印版扫描系统的高性能光刻原型。特殊是，有假想将X射线光刻期间融入国产先进芯片高性能坐褥线，打造光刻基础元件和系统坐褥配合链。

这一阶段的戒指将是每小时坐褥朝上 60 200 毫米印版的原型平版印刷机。还有假想将X射线光刻期间融入国内先进工场的芯片坐褥期间链中，以最低拓扑圭臬坐褥要津层，并制定期间轨范和期间决议。用于工业愚弄的原型光刻的可行性征询。

第三阶段触及制造符合工场使用的平版印刷机，直径为300毫米的印版的坐褥率朝上每小时60张，并在俄罗斯组织大范畴坐褥平版印刷机。

文献中莫得指定各个阶段的时辰安排。

CNews报谈了RAS愚弄物理征询所于 2022 年 10 月开动进行光刻使命的情况。展望该安装将梗概坐褥使用 7 nm 拓扑的芯片。该开发将于2028年开动全面运行。RAS展望俄罗斯光刻机的遵循将是ASML制造的开发的1.5-2倍。

Chkhalo 服气尝试复制 ASML 光刻不会得手。他不时说谈，这一论断适用于构建 13.5 nm 光刻机所濒临的期间和经济问题。

“总的来说，ASML 正在开发的见解导致了纷乱的开发老本，”Chkhalo 指出。“字据多方音问，面前坐褥的NXE:3400C和NXE:3600D系列光刻机的价钱朝上3亿欧元，而分裂率为8纳米的新一代EXE:5000更是数倍。”

关联词，文献指出，台积电、三星和英特尔的高层经管东谈主员阐发，尽管存在这些老本，EUV 光刻期间仍然具有老本效益。“但是，咱们必须研究到这种遵循是由于这些公司（履行上是 把持者）占据了纷乱的芯片商场，”它接着说谈。——淌若商场萎缩，这种遵循就会急剧下跌。对这一论断的曲折印证是，除了这些巨头，以及民众排行前五的芯片制造商好意思国好意思光科技和韩国SK海力士以外，莫得其他东谈主购买过此类开发。据ASML预测，近期莫得有假想。”

因此，Chkhalo得出的论断是，从经济角度来看，肖似ASML阵势对俄罗斯来说是没故酷好酷好的。由于在小范畴坐褥中，它可能朝上坐褥该芯片的专用开发的老本。

从期间上来说，似乎不太可能肖似ASML的发展，而使用这么的开发关于体量有限的国内芯片商场来说似乎并分歧适。

制造 EUV 光刻机的期间难度令东谈主难以置信，导致即使是起初开动这场竞赛的好意思国和日本也无法将其 EUV 有假想改革为具有竞争力的居品，而况仅限于为 ASML 提供单个组件。

Chkhalo 不时说谈：“咱们以为，他们失败的原因以及 ASML 得手的原因在于 ASML 梗概将通盘主要组件的天下最好竖立融入到其居品中。” “他们通过名面前所未有的怒放性终澄莹这一假想。据此咱们不错得出论断，从期间酷好酷好上来说，一个国度肖似ASML阵势的可能性不大。”

因此，作家明显需要一种替代步伐来搞定高性能X射线光刻问题，提供可比的期间特质，同期使该期间在开发和运营老本方面愈加实惠。淌若这一见解得到执行，不仅俄罗斯联邦，而且海外也将对平版印刷品产生需求，因为未进入前五名的公司也不错获取平版印刷品。

由于制裁，光刻开发不会入口到俄罗斯。因此，自主坐褥是迈向期间主权的蹙迫一步。

俄罗斯用于坐褥 350 nm 拓扑芯片的开发将于 2024 年开动坐褥，130 nm 拓扑芯片坐褥开发将于 2026 年开动坐褥。工业和营业部副部长 Vasily Shpak示意了这一见钱眼开的有假想 。如今，天下上只好两家公司坐褥这种光刻机—— 荷兰ASML和日本尼康。

2026年后，俄罗斯将开动相对大范畴坐褥光刻激光器，用于坐褥微电路。有假想每年至少拼装五个此类激光器。开发使命正在生机勃勃地进行中：当作光刻期间一部分的测试有假想于 2025 年进行。

Lassard集团公司厚爱激光器的开发。测试将由 Zelenograd 纳米期间中心 ( ZNTC )的职工进行，激光器自己将用作光刻机的一部分，率先是为 350 nm 拓扑假想的。新激光器将其“泵浦”至 130 nm。比拟之下，2024年将用于坐褥各式微电路（包括中央处理器）的最当代工艺经过是3纳米。这些圭臬被台积电工场用来坐褥苹果芯片。

在率先的假想中，它是用于坐褥基于 350 nm 拓扑的芯片。这并不是最当代的期间经过——其猜度性的顶峰出当今 1995 年至 1996 年。350纳米芯片天然被以为是大范畴芯片，但仍然愚弄于好多行业，包括汽车行业、动力和电信行业。

CNews 报谈了与执行此类阵势猜度的问题。着手，预算。当局将破耗1000亿卢布。用于在俄罗斯诞生微电路坐褥开发的工业。这笔钱将在三年内分派。比拟之下，仅在 2022 年，民众最大的此类开发供应商ASML 的研发干预就达到了三倍。此外，俄罗斯果然莫得必要的各人，而且被发现的东谈主还是80岁驾驭了。

MIPT微纳电子学系副主任叶夫根尼·戈尔内夫 (Evgeniy Gornev)指出：“企业莫得弥散的职工梗概诡计此类安装的期间经过，也莫得弥散的科学家在实用物理学等界限领有弥散的常识。”

https://www.cnews.ru/news/top/2024-12-13_v_rossii_razrabotali_dorozhnuyu

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